国家大基金三期成立 国家队加码国产芯片!这些领域有望迎来风口

光大证券
2024-05-28 09:19:01
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19家股东共同打造国家大基金三期,财政部、国开金融有限责任公司、上海国盛(集团)有限公司持股比例超8%,四大行持股比例均为6.25%。

5月27日,半导体板块异军突起,光刻机、中芯国际概念股、国家大基金、国产芯片、存储芯片等概念股大幅上涨。

究其原因,根据财联社援引天眼查APP的信息,国家集成电路产业投资基金三期股份有限公司于5月24日宣告成立,注册资本高达3440亿元,经营范围包括私募股权投资基金管理、创业投资基金管理服务等。

19家股东共同打造国家大基金三期,财政部、国开金融有限责任公司、上海国盛(集团)有限公司持股比例超8%,四大行持股比例均为6.25%。

早在2014年,国家大基金一期成立,密集投资半导体产业链。2019年,国家大基金二期成立,也极大推动国产芯片行业的发展。随着国家大基金三期成立,高端芯片(高端存储芯片)、关键材料(光刻胶、第四代半导体材料)有望受益。

1、国产高端存储芯片进展迅速,大基金三期再赋能

在数字经济时代,存储芯片无处不在,手机内存、电脑内存和硬盘、存储卡等产品与我们的工作与生活密不可分。

存储器可以分为RAM(随机存取存储器)和ROM(只读存储器)两大类,RAM断电之后将无法保存数据,ROM则可以实现长期存储。

RAM虽然不能在断电时保存数据,但读写速度很快,因此通常被用作操作系统运行的临时存储媒介。系统内存通常使用DRAM(动态随机存取存储器),结构简单、成本较低。

ROM根据制造工艺及功能可以分为五种类型,其中Flash存储器作为可以擦除、可以编程的ROM,具有读写速度快、存储稳定、抗震等优势。闪存又可以分为NOR和NAND两种,NORFlash主要运用于速度要求不高、容量较小的场景,比如PC的主板BIOS等;NANDFlash写入、擦除速度更快,已经成为主要的大容量非易失存储芯片。

那么存储芯片市场规模到底有多大?根据美国半导体行业协会(SIA)发布的数据,2023年全球半导体行业销售额达到5268亿美元,较2022年回落8.2%,从历史最高水平显著回落。

主要的细分产品方面,第一大品类逻辑芯片销售额达到1785亿美元,存储芯片凭借923亿美元(约合人民币6600亿元)的销售额排名第二。由此我们可以知道,存储芯片占据了全球半导体市场约17.5%的市场份额。

一直以来,中国都是全球重要的消费电子生产基地,这也导致我国是存储芯片最重要的消费地。根据WSTS的预测,2023年中国存储芯片市场份额有望达到56.2%。

然而,国际巨头把持全球存储芯片产业链,这导致我国面临较为严峻的存储芯片供给问题。根据TrendForce的数据,在DRAM市场中,2022年三星、SK海力士、美光形成三足鼎立之势,三星市占率接近40%,SK海力士、美光市占率均超20%。NANDFlash市场中,三星市占率超30%,铠侠、西部数据、SK海力士、美光市占率均超10%。

经过多年的发展,国产存储芯片巨头长江存储、长鑫存储、福建晋华等公司逐渐取得突破,并抢占了部分存储市场。

三家公司发展各有侧重,长江存储发力于“晶栈”技术,并在NAND领域实现长足的进展。长鑫存储则发力于DRAM,并已经推出多种DRAM芯片。福建晋华侧重于发展DRAM内存,未来有望快速恢复发展。

展望未来,国产芯片巨头依然有着广阔的发展前景,两大因素成为关键:第一,存储芯片市场进入上升周期,这将为国产芯片提供充足的发展空间;第二,各类政策持续赋能国产存储芯片。

多家A股上市公司也已经布局存储芯片领域,根据iFinD数据库,市值较大的存储芯片概念股包括:中微公司、澜起科技、大华股份、华虹公司、兆易创新、深南电路、紫光国微、长电科技、江波龙、通富微电、北京君正等。

2、半导体材料的国产化机遇

对于半导体而言,光刻胶是关键材料,高端光刻胶对材料的要求极高。这就导致光刻胶领域已被日本企业垄断,日本合成橡胶、东京应化两大巨头市占率就接近5成。尤其是KrF光刻胶,已经成为日本企业的“杀手锏”。

除了光刻胶,光罩、硅晶圆、保护涂膜、靶材、陶瓷板、焊线等重要半导体材料,都是日本企业的天下。

如果日本跟随美国的步伐,我国半导体行业将面临卡脖子风险,半导体材料国产化成为突围的关键举措。

光刻胶已经成为国产芯片的热点领域,部分企业已在积极推进光刻胶国产化,包括:雅克科技、大族激光、鼎龙股份、彤程新材、圣泉集团、安集科技、湖北宜化、南大光电等。

除了光刻胶,第四代半导体材料也成为行业发展的关键。接下来,我们向大家科普一下四代半导体材料。

第一代半导体材料以硅、锗等为代表,也是目前应用范围最广的半导体材料,市占率约为90%。第二代半导体主要是化合物半导体,以砷化镓(GaAs)、锑化铟(InP)为代表。此前热炒的手机快充,需要使用到氮化镓,则是典型的第三代半导体材料。此类材料主要用于宽禁带(价带与导带的间距,禁带宽度衡量组电能力)半导体,可以拥有更高的工作温度、击穿电场。第四代半导体材料则是超禁带半导体材料,包括氧化镓、金刚石、氮化铝等。

为了抢占氧化镓的先发优势,多个国家纷纷加大研发力度。我国也推动氧化镓的产业化进程,科技部已经将氧化镓列入“十四五重点研发计划”。金刚石有着“终极半导体材料”的美誉,集合光学、电学、热学、声学等优势于一体。特别在高频、高压的工作环境下,金刚石具有无可比拟的优势。然而,金刚石提纯、大尺寸化等技术困难重重,需要更多的科研攻关。

氧化镓方面,国内多家公司已在推进相关研究,包括新湖中宝(持股杭州富加镓)、蓝晓科技(金属镓提取)、国博电子(实控人研究氧化镓产品)、上海瀚讯(股东布局氧化镓技术研究)等。

金刚石方面,需要使用培育钻石的CVD法,培育钻石公司有望参与金刚石材料研究。上市公司包括:中兵红箭、黄河旋风、四方达、力量钻石、晶盛机电等。

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